武漢普賽斯儀表有限公司
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半導體分立器件靜態測試系統是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.BJT、 IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試
如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線？
功率半導體器件一直是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，又稱為電力電子器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。隨著電力電子應用領域的不斷擴展和電力電子技術水平的提高，功率半導體器件也在不斷發展和創新，其應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。
隨著行業技術革新和新材料性能發展，功率半導體器件結構朝復雜化演進，功率半導體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導體材料迅速崛起，它們通常具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩定性以及可承受大功率等特點，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力。
碳化硅（Silicone Carbide, SiC）是目前蕞受行業關注的半導體材料之一，從材料層面看，SiC是一種由硅（Si）和碳（C）構成的化合物半導體材料；絕緣擊穿場強（BreakdownField）是Si的10倍，帶隙（EnergyGap）是Si的3倍，飽和電子漂移速率是硅的2倍，能夠實現“高耐壓"、“低導通電阻"、“高頻"這三個特性。
從SiC的器件結構層面探究，SiC 器件漂移層電阻比 Si 器件要小，不必使用電導率調制，就能以具有快速器件結構特征的 MOSFET 同時實現高耐壓和低導通電阻。與 600V～900V 的 Si MOSFET 相比，SiC MOSFET具有芯片面積小、體二極管的反向恢復損耗非常小等優點。
不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。
靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容),以及以上參數的相關特性曲線的測試。
圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，具有更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。
半導體分立器件靜態測試系統特點
1、高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達3500V（蕞大可擴展至10kV）
具有大電流測量/輸出能力，電流高達6000A（多模塊并聯）
2、高精度測量
納安漏電流，μΩ級導通電阻
0.1％精度測量
四線制測試
3、模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元
系統預留升級空間，后期可添加或升級測量單元
4、測試效率高
內置專用開關矩陣，根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
5、軟件功能豐富
上位機自帶器件標準參數測試項目模板，可直接調取使用
支持曲線繪制
自動保存測試數據，并支持EXCEL格式導出
開放的標準SCPI指令集，可與第三方系統集成
6、擴展性好
支持常溫及低溫、高溫測試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺，溫箱等第三方設備聯動使用
半導體分立器件靜態測試系統測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
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