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武漢普賽斯儀表有限公司

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IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

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參考價(jià): ￥ 10000

訂貨量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)PMST-3500V

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地武漢市

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聯(lián)系方式：陶女士查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2025-04-29 13:33:30瀏覽次數(shù)：37次

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產(chǎn)品分類(lèi) 品牌分類(lèi)

  半導(dǎo)體器件測(cè)試

教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

高壓源

功率器件測(cè)試設(shè)備

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

大電流源

數(shù)字源表

全部產(chǎn)品列表

  其他品牌

武漢普賽斯儀表有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：30條

所在地區(qū)：湖北武漢市

聯(lián)系人：陶女士（市場(chǎng)專(zhuān)員）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PMST系列IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，是普賽斯儀表經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。

詳細(xì)介紹

SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

新能源汽車(chē)受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)蕞大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對(duì)象.以下五類(lèi)細(xì)分應(yīng)用成為當(dāng)前及未來(lái)的核心潛力領(lǐng)域:

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

800V架構(gòu)帶來(lái)的直接性能提升，疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好，推動(dòng)新能源汽車(chē)成為SiC未來(lái)5年核心應(yīng)用陣地。

SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測(cè)試參數(shù)

近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。lGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測(cè)試等,這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo)，與工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、壓降VF 、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)）等。功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對(duì)芯片的可靠性要求較高，這給測(cè)試帶來(lái)了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求，但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

普賽斯IGBT功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專(zhuān)家。

針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、高電壓、大電流

具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴(kuò)展至10kV）

具有大電流測(cè)量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）

2、高精度測(cè)量

納安級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

0.1％精度測(cè)量

四線制測(cè)試

3、模塊化配置

可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間，后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

4、測(cè)試效率高

內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

5、軟件功能豐富

上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用

支持曲線繪制

自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴(kuò)展性好

支持常溫及低溫、高溫測(cè)試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺(tái)，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用

硬件特色與性能優(yōu)勢(shì)

1、大電流輸出響應(yīng)快，無(wú)過(guò)沖

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過(guò)程響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。測(cè)試過(guò)程中，大電流典型上升時(shí)間為15μs，脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式，可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來(lái)的誤差。

2、高壓測(cè)試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開(kāi)響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止器件因過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致?lián)p壞。

技術(shù)參數(shù)1.jpg

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更多有關(guān)IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備的詳情上“普賽斯儀表"官&網(wǎng)咨詢，目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出覺(jué)對(duì)優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于覺(jué)對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。此外，在大功率激光器測(cè)試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測(cè)試及老化電源市場(chǎng)，普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

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