進口原裝中國臺灣康百世KOMPASS壓力繼電器
 

交流接觸器的接點，由銀鎢合金制成，具有良好的導電性和耐高溫燒蝕性。

交流接觸器動作的動力源于交流通過帶鐵芯線圈產生的磁場，電磁鐵芯由兩個「山」字形的幼硅鋼片疊成，其中一個固定鐵芯，套有線圈，工作電壓可多種選擇。為了使磁力穩定，鐵芯的吸合面加上短路環。交流接觸器在失電后，依靠彈簧復位。

另一半是活動鐵芯，構造和固定鐵芯一樣，用以帶動主接點和輔助接點的閉合斷開。

20A以上的接觸器加有滅弧罩，利用電路斷開時產生的電磁力，快速拉斷電弧，保護接點。

接觸器可高頻率操作，做為電源開啟與切斷控制時﹐操作頻率可達每小時1200次。

接觸器的使用壽命很高，機械壽命通常為數百萬次至一千萬次，電壽命一般則為數十萬次至數百萬次。

1．制造工藝的改進。在制造工藝方面由初的單層平面分布發展到后來的多層工藝(有多層高密度和多層多功能兩種方式)，以降低成本，增加功能。采用人工超晶格工藝(一種用人工控制晶體晶格大小制造晶體的新工藝)，制造的器件叫超晶格半導體器件。這種器件的速度比硅半導體器件快10—100倍。使用敏感集成電路(在一塊芯片上同時集成各種敏感元件及外圍電路)，可以縮小體積，降低成本，提高可靠性，增加功能。系統的集成方法將從二維結構向三維立體結構發展，這樣會實現集成度的新突破，為集成電路的發展拓出一條新的可行之路。　 2．材料的更新。科學家正廣泛地探索以新材料取代硅晶體的可行途徑。隨著微電子技術的高速發展，硅材料的局限性已逐步暴露出來。采用砷化鎵、磷化銦等氧化物半導體材料和超導材料、金剛石材料制造集成電路，可以提高集成電路的開關速度、抗輻射能力和工作溫度(金剛石集成電路可在500℃—700℃下正常工作)。2000年2月12日，德國埃森大學和漢諾威大學宣布聯合研制成功在硅板上生長鍺半導體，由此制成的集成電路其開關速度將大大快于硅集成電路。同時，采用在有機物原子的化學鏈中儲存信息的技術所研制的“生物芯片”也取得了一些進展。

3．芯片尺寸的增大。芯片尺寸的增大可為集成度的提高提供物質基礎，并且芯片尺寸越大，集成電路的平均成本越低。1998年，芯片尺寸已由原來的3—4英寸，增大到8—10英寸。已經達到12英寸。預計今后幾年芯片的容量將達到令人震驚的程度，即一個芯片上可包含10億個元件，其電路僅有幾個原子那么薄。這必然會帶來芯片功能密度和性能價格比的大幅度提高。

進口原裝中國臺灣康百世KOMPASS壓力繼電器

APSF-125-1 APSF-125-2 APSF-125-3 APSF-125-4
APSF-275-1 APSF-275-2 APSF-275-3 APSF-275-4
APSF-400-1 APSF-400-2 APSF-400-3 APSF-400-4

VQ325-60-18-FRAA   VQ325-66-22-FRAA 
 VQ325-76-26-FRAA   VQ325-82-32-FRAA

VQ325-88-38-FRAA   VQ325-94-43-FRAA  
VQ325-108-47-FRAA  VQ325-116-52-FRAA

VQ425-136-18-FRAA      VQ425-156-22-FRAA   
VQ425-189-26-FRAA

APSG-125-1 APSG-125-2 APSG-125-3 APSG-125-4
APSG-275-1 APSG-275-2 APSG-275-3 APSG-275-4

APSH-60-1 APSH-60-2 APSH-60-3 APSH-60-4

VQ425-200-32-FRAA      VQ425-216-38-FRAA    
 VQ425-237-43-FRAA

VQ435-136-60-FRAA VQ435-156-66-FRAA   
  VQ435-189-76-FRAA  VQ435-200-82-FRAA

      VQ435-216-88-FRAA   
  VQ435-237-94-FRAA

APSG-60-1 APSG-60-2 APSG-60-3 APSG-60-4
APSH-125-1 APSH-125-2 APSH-125-3 APSH-125-4
APSH-275-1 APSH-275-2 APSH-275-3 APSH-275-4
APSD-40-1 APSD-40-2 APSD-40-3 APSD-40-4