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優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN

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  • 型號 蘇州茂仁電子
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  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 蘇州市

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更新時間:2017-12-20 12:41:02瀏覽次數:445

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產品簡介

優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN




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詳細介紹

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中國臺灣moujen茂仁

 

 
限位開關ME-8000系列

 


小型橫式局限開關  (Made in Taiwan)
優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN
功能 :
 可配合各種不同之連桿及頭
 具多種利用曲線
 接線頭具帽式覆蓋螺絲
 可調式
 內裝接地螺絲
 防塵、防油、防水
 適用溫度 +5 至 +160 . (-15 to +70) .
 
額定電壓 :
 
優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN5A250V AC
0.4A115 V DC
  
電氣迴路 :
 
  
FIELD ADJUSTABLE :
 Rotary motion roller lever and rod actuators are adjustable
through 360°. They may be set for operation clockwise, counter-clockwise, or in both directions. Operating heads may be positioned in any of four 90° positions.
  
EASY WIRING :
1.Loosen cover screws and remove cover.
2.Remove rubber strain relief from switch cover.
3.Slip strain relief over cable.
4.Fasten terminal screws and grounding screw tightly after inserting cables or terminals.
5.After wiring insert strain refief into the groove of the switch cover.
優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN6.Fasten 3 cover screws evenly. Do not over tighten.
7.Recommended Cable-# 18/3 SJT Flexible.






 

 

 


防油局限開關  (Made in Taiwan)
功能 :
 可配合各種不同之連桿及頭
 具多種利用曲線
 接線頭具帽式覆蓋螺絲
 防塵、防油、防水
 不鏽鋼主零件
 規格及尺寸標準化 1/2” conduit entry.
 適用溫度 +15°F  to +175°F  (-10℃ to  +80℃)
優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN  
所有密封式局限開關都是雙迴路局限開關,1NO(常開)與1NC(常閉 )迴路,各迴路接點俱為兩段式絕緣。
 
額定電壓 :
 
10A

125 or 300V AC(resistive)

0.8A

125 VDC(resistive)

0.4A

250V DC

1/2HP

125 V AC

1HP

250 V AC

優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN   
電氣迴路 :
 
  
<IMG style="LIST-STYLE-TYPE: none; BORDER-TOP: 0px; BORDER-RIGHT: 0px; BORDER-BOTTOM: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; PADDING-TOP: 0px; PADDING-LEFT: 0px; MARGIN: 0px; BORDER-LEFT: 0px; PADDING-RIGHT: 0px" align=absMiddle src="http://www.moujen.|; 優勢報價ME-8104中國臺灣MOUJEN 3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。3、霍爾式接近開關工作原理 當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會發生電位差,這種假象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U, 其表白式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中穿越的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應度,d是薄片的厚度。

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